2SJ352-E參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：-不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 10V功率 - 最大值：100W安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3供應(yīng)商器件封裝：TO-3P
