2SJ649-AZ
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2SJ649-AZ參數(shù)：MOSFET P-CH -60V -20A TO-220

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：500
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：20A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：48 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3 隔離片
供應商器件封裝：TO-220 隔離的標片