2SK536-TB-E
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2SK536-TB-E參數(shù)：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： CPPackageN-Channel&RFFets,Top
標(biāo)準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：50V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20歐姆@10mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：15pF@10V
功率-最大值：200mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：3-CP