3LN01C-TB-H
PDF資料下載

3LN01C-TB-H參數：MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：150mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.7 歐姆 @ 80mA，4V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.58nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7pF @ 10V
功率 - 最大值：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：3-CP