5LN01C-TB-E參數(shù)：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓 (Vdss)：50V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：7.8 歐姆 @ 50mA，4V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.57nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6.6pF @ 10V功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：3-CP
