APT26M100JCU2
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APT26M100JCU2參數(shù)：MOSFET N CH 1000V 26A SIC SOT227

類別：半導體模塊-FET
標準包裝：1
系列：POWER MOS 8™
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：碳化硅 (SiC)
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：26A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：396 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：305nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7868pF @ 25V
功率 - 最大值：543W
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝：SOT-227