APTM100A18FTG
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APTM100A18FTG參數(shù)：MOSFET 2 N CH 1000V 43A SP4

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標準包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：2 個 N 通道（半橋）
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：43A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：210 毫歐 @ 21.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：372nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10400pF @ 25V
功率 - 最大值：780W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP4
供應(yīng)商器件封裝：SP4