APTM100H80FT1G
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APTM100H80FT1G參數(shù)：MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：4 個(gè) N 通道（H 橋）
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：960 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3876pF @ 25V
功率 - 最大值：208W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP1
供應(yīng)商器件封裝：SP1