ATP212-TL-H參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： ATPAKPackageP-Channel&N-ChannelTop標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：35A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：23毫歐@18A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：34.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1820pF@20V功率-最大值：40W安裝類型：表面貼裝封裝：ATPAK（2引線+接片）供應(yīng)商器件封裝：ATPAK
