AUIRLR3636TR參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：50A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：6.8毫歐@50A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@100µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：49nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：3779pF@50V功率-最大值：143W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
