BS108G
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BS108G參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：250mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8歐姆@100mA，2.8V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：150pF@25V
功率-最大值：350mW
安裝類型：通孔
封裝：TO-226-3、TO-92-3標(biāo)準(zhǔn)主體
供應(yīng)商器件封裝：TO-92-3