BSC082N10LS G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.2 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 110µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：104nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7400pF @ 50V功率 - 最大值：156W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8
