BSM120D12P2C005參數：SIC PWR MODULE 1200V 120A
類別：半導體模塊-FET標準包裝：1系列：*包裝：*FET 類型：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅 (SiC)漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：120A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：-不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 22mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14000pF @ 10V功率 - 最大值：780W安裝類型：*封裝：*供應商器件封裝：*
