BSO104N03S參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：9.7毫歐@13A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@30µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：16nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2130pF@15V功率-最大值：1.56W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
