BSO200P03S參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@9.1A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：54nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2330pF@25V功率-最大值：1.56W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
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