BSS159N E6327參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：耗盡模式漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：230mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.5歐姆@160mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.4V@26µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.9nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：44pF@25V功率-最大值：360mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3
