BST62,115
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BST62,115參數(shù)：TRANSISTOR DARL PNP SOT89

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 單路
特色產(chǎn)品： NXP-I2CInterface
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：PNP-達林頓
電流-集電極(Ic)（最大值）：1A
電壓-集射極擊穿（最大值）：80V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：1.3V@500µA，500mA
電流-集電極截止（最大值）：50nA
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：2000@500mA，10V
功率-最大值：1.3W
頻率-躍遷：200MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-243AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-89-3