BSZ120P03NS3E G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：40A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 73µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3360pF @ 15V功率 - 最大值：2.1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
