CSD16327Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：25V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：60A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4 毫歐 @ 24A，8V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.4nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1300pF @ 12.5V功率 - 最大值：3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：8-SON-EP（3.3x3.3）
