CSD16409Q3
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CSD16409Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
設(shè)計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
標準包裝：2,500
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：60A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.2毫歐@17A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.6nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：800pF@12.5V
功率-最大值：2.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SON