CSD17308Q3
PDF資料下載

CSD17308Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 47A 8SON

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
設計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
標準包裝：2,500
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：47A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：10.3毫歐@10A，8V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.8V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.1nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：700pF@15V
功率-最大值：2.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN裸露焊盤
供應商器件封裝：8-SON