CSD23201W10參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：82毫歐@500mA，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：2.4nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：325pF@6V功率-最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：4-UFBGA，DSBGA供應(yīng)商器件封裝：4-DSBGA（1x1）
