CSD25201W15參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview標準包裝：3,000系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：40毫歐@2A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.6nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：510pF@10V功率-最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：9-UFBGA，DSBGA供應(yīng)商器件封裝：9-DSBGA
