CSD86311W1723
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CSD86311W1723參數(shù)：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
標準包裝：3,000
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：39毫歐@2A，8V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：585pF@12.5V
功率-最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：12-UFBGA，DSBGA
供應(yīng)商器件封裝：12-DSBGA（1.53x1.98）