CSD86311W1723參數(shù)：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：39毫歐@2A，8V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：585pF@12.5V功率-最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：12-UFBGA，DSBGA供應(yīng)商器件封裝：12-DSBGA（1.53x1.98）
