DI9400T參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它圖紙： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：剪切帶(CT)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：130毫歐@1A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.8V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：25nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：350pF@10V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSOP（0.130"，3.30mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
