EM6K31T2R
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EM6K31T2R參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 250MA EMT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：250mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.4 歐姆 @ 250mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15pF @ 25V
功率 - 最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝：EMT6