EM6M1T2R
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EM6M1T2R參數：MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品培訓模塊： MOSFETs
產品目錄繪圖： EM6SeriesEMT-6
特色產品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V，20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100mA，200mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8歐姆@10mA，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.9nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：13pF@5V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：EMT6