EPC2012
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EPC2012參數(shù)：TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
應用說明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs
產(chǎn)品培訓模塊： ParallelingeGaN?FETs
產(chǎn)品變化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013
視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey
標準包裝：1,000
系列：eGaN®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@3A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.5nC@100V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：128pF@100V
功率-最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：模具
供應商器件封裝：模具
配用：917-1013-ND-BOARDDEVFOREPC2012200VEGAN