FDB6030BL參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：40A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：18毫歐@20A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：17nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1160pF@15V功率-最大值：60W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB
