FDC658P參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：50毫歐@4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：12nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：750pF@15V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT
