FDC699P
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FDC699P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 7A SSOT-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：7A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：22毫歐@7A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：38nC@5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2640pF@10V
功率-最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SSOT扁平引線，SuperSOT?-6FLMP
供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT