FDC855N
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FDC855N參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.1A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：27毫歐@6.1A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：655pF@15V
功率-最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT