FDT55AN06LA0
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FDT55AN06LA0參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：12.1A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1130pF @ 25V
功率 - 最大值：8.9W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：SOT-223-3