FDU6612A參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices28/May/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,800系列：PowerTrench®包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：9.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：20毫歐@9.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：9.4nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：660pF@15V功率-最大值：1.3W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
