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FDU8586參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
系列：PowerTrench®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：35A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.5毫歐@35A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：48nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2480pF@10V
功率-最大值：77W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝：TO-251AA

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