FL6L52010L
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FL6L52010L參數(shù)：MOSFET P CH 20V 2A WSSMINI6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 1A，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：300pF @ 10V
功率 - 最大值：540mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：WSSMini6-F1