FQD6N60CTM參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：2歐姆@2A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：20nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：810pF@25V功率-最大值：80W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
