FQE10N20LCTU參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：60系列：QFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：4A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 2A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：490pF @ 25V功率 - 最大值：12.8W安裝類型：通孔封裝：TO-225AA，TO-126-3供應(yīng)商器件封裝：TO-126
