FQI10N60CTU
PDF資料下載

FQI10N60CTU參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：QFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：730 毫歐 @ 4.75A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：57nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2040pF @ 25V
功率 - 最大值：3.13W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK