FQI8N60CTU參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007標準包裝：50系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@3.75A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：36nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1255pF@25V功率-最大值：3.13W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：I2PAK
