FQS4900TF
PDF資料下載

FQS4900TF參數(shù)：MOSFET N/P-CH DUAL 60V 8SOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：QFET™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V，300V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.3A，300mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：550 毫歐 @ 650mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 20mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.1nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP