FQT7N10LTF參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：350毫歐@850mA，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：290pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223-3
