HCT7000M
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HCT7000M參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：25
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：200mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：60pF @ 25V
功率 - 最大值：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：3.18mm x 2.67mm x 1.37mm
供應(yīng)商器件封裝：-