HGTD3N60C3S9A
PDF資料下載

HGTD3N60C3S9A參數(shù)：IGBT UFS N-CH 600V 6A TO-252AA

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2V @ 15V，3A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：6A
Current - Collector Pulsed (Icm)：24A
功率 - 最大值：33W
Switching Energy：85µJ (開(kāi)), 245µJ (關(guān))
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：10.8nC
Td (on/off) A 25°C：5ns/325ns
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-252AA