HGTP10N120BN
PDF資料下載

HGTP10N120BN參數(shù)：IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：400
系列：-
包裝：管件
IGBT類型：NPT
電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic時(shí)的?Vce(on)：2.7V@15V，10A
電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
Current-CollectorPulsed(Icm)：80A
功率-最大值：298W
SwitchingEnergy：0.32mJ(開(kāi)),0.80mJ(關(guān))
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
GateCharge：100nC
Td(on/off)A25°C：23ns/165ns
TestCondition：960V,10A,10歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
封裝：TO-220-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB