IPB023N06N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：140A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.3毫歐@100A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@141µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：198nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：16000pF@30V功率-最大值：214W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-7，D²Pak（6引線+接片），TO-263CB供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7
