IPB027N10N3 G
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IPB027N10N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：120A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.7 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 275µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：206nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：14800pF @ 50V
功率 - 最大值：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2