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IPB041N04NG

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IPB041N04NG 優(yōu)勢庫存

infineon

TO-263

2023+

8350

原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
聯(lián)系人：洪小姐

IPB041N04NGATMA1

Infineon Techn..

PG-TO263-3

2023+

500

全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號)
聯(lián)系人：洪小姐

IPB041N04NG

InfineonTechno..

TO-263-3,Dsu..

2023+

1250

全新進口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

IPB041N04NG

英飛凌

(TO-263)

2023+

3000

低價格.高品質(zhì).服務好.現(xiàn)..

相關(guān)型號： IPB041N04N G IPB03N03LB G IPB03N03LB IPB03N03LA G IPB03N03LA IPB039N10N3 G E8187

IPB041N04N G
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IPB041N04N G參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標準包裝：1,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.1毫歐@80A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@45µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：56nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4500pF@20V
功率-最大值：94W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263-2

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