IPB085N06L G
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IPB085N06L G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
標準包裝：1
系列：OptiMOS™
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.2毫歐@80A.10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@125µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：104nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3500pF@30V
功率-最大值：188W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3